TSM130NB06CR RLG
| 工場モデル | TSM130NB06CR RLG |
|---|---|
| メーカー | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN |
| パッケージ | 8-PDFN (5.2x5.75) |
| 株式 | 128670 pcs |
| データシート | TSM130NB06CRTSMxxxNB0x Brief |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.755 | $0.677 | $0.545 | $0.448 | $0.371 |
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PDFN (5.2x5.75) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 13mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.1W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerLDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2380 pF @ 30 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 51A (Tc) |
| 基本製品番号 | TSM130 |
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